| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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SI6473DQ-T1-GE3 |
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | Vishay Siliconix | 168 | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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SI6473DQ-T1-GE3参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET P-CH D-S 20V 8-TSSOP 包装数量：3000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：20V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6.2A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：12.5 毫欧 @ 9.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：450mV @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：70nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：- 功率 - 最大值：1.08W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 接口 - 专用TUSB9261PVP 数据采集 - 数字X9279UV14ZT1 PMIC - 稳压MAX773CSD T DC DC ConV24C12H50B 底座安装电阻器FVTS10-2-5 信号，高达 2 ATX2SS-4.5V Card EdgeGBM31DCSH Card EdgeECM06DCTD 晶体管(BJT) BC846T,115 Card EdgeRSC20DRTS-S13 |
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